三星推出首款基于12纳米级EUV的DDR5 DRAM

三星宣布开发其 16 吉比特 (Gb) DDR5 DRAM，该内存采用业界首个 12 纳米 (nm) 级工艺技术制造。还确认已完成与 AMD 兼容性的产品评估。

它使用可增加电池电容的新型高 κ 材料和可改善关键电路特性的专有设计技术。

它采用先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术，并具有业界最高的裸片密度，可将晶圆生产率提高 20%。

它承诺每秒 7.2 吉比特 (Gbps)。这相当于在一秒钟内处理两部 30 GB 的 UHD 电影。

它的功耗比之前的 DRAM低 23% ，该公司表示，这将是追求更环保运营的全球 IT 企业的理想解决方案。

可用性

三星表示，将在2023年量产12纳米级DDR5 DRAM，这将用于下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域的广泛细分市场。