双星到向如何布局,TSMC:从COWOS到WOW的布局

在工艺节点已经进入28nm之后，因为硅材料本身特性的限制，晶圆厂和芯片商基本上不可能按照以前的步伐通过晶体管小型化来提升自己芯片的性能。由于这个原因，各大制造商现在都开始探索包装来提高性能，TSMC是先行者之一。

首先，TSMC TSMC的碰撞服务已经渗透到许多客户中，是它的基本组成部分的包装业务。据报道，超过90%的7nm客户选择了TSMC 颠簸服务。

其次，Cowos业务。八年前。在TSMC 在2011年第三季度的美国发布会上，TSMC创始人张忠谋毫无征兆地抛出了一颗重磅炸弹——TSMC要进军包装领域。他们推出的第一个高级封装产品是CoWoS(基片上晶片)。这意味着逻辑芯片和DRAM被放置在硅内插器上，然后封装在基板上。

据报道，自推出以来，TSMC COWOS封装技术已被50多家客户选用，公司也获得了业界最高的良品率。在他们看来，COWOS未来会越来越重要，市场需求也会逐渐增加。TSMC还将从各个角度进行优化，为客户简化COWOS的设计流程，加快产品上市速度。

这种封装技术还可以为创新提供各种支持。

除了bumping和COWOS，InFO(集成扇出)是TSMC的另一个杀手锏包装兵工厂。所谓信息，就是集成扇出技术。这是一种非穿孔技术，是一种专门为移动和消费产品等成本敏感型应用开发的封装技术。

根据介绍，这项技术可以分为三类：一类是info _ OS(基板上集成扇出)，一类是info _ ms(基板上集成扇出内存)，一类是InFO_POP。

此外，TSMC还推出了另一种信息流程SoW(晶圆上系统)。

TSMC说，这两种包装技术将在公司发挥重要作用先进的封装布局，还能提供AI、服务器、网络、AI推理、移动芯片的全方位支持。

根据TSMC 司，上面提到的类型都属于他们的后端3D包。为了进一步推动芯片性能的提升，TSMC还推出了之前的3D封装工艺SOIC(System-on-integrated-chips)和全新的晶圆上晶圆(WoW)。

TSMC进一步表示，后期3D封装的结果是获得一个可以直接使用的芯片，而前期封装只是一个异质芯片，我们还需要对其进行封装才能获得一个可用的芯片。

SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术，可用于10 nm以下工艺的晶圆级键合。该技术没有突出的键合结构，因此具有更好的性能。

晶圆上晶圆(WoW)是一项革命性的技术，就像3D NAND闪存的多层堆叠一样。两层管芯以镜像方式垂直堆叠，有望用于生产显卡GPU，打造晶体管更大的GPU。根据介绍，WoW技术通过10m硅穿孔连接上下管芯，可以垂直堆叠更多的管芯，这也意味着管芯之间的延迟通信大大降低，引入了更多的内核。