场效应晶体管也称（场效应晶体管的分类说明）

根据场效应晶体管的分类，

(1)根据不同的结构分类

场效应晶体管按结构可分为两类：体管(金属氧化物半导体型)。可以分为以下五种。可分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管。

(2)按所用绝缘材料分类。

场效应晶体管根据其栅极和半导体材料之间使用的绝缘材料进行分类。绝缘栅场效应晶体管可分为MOS场效应晶体管、MNS场效应晶体管和MALS场效应晶体管。其中，MOS FET采用二氧化硅作为绝缘层，MNS FET采用氮化硅作为绝缘层，MALS FET采用氧化铝作为绝缘层。

(3)根据导电通道中使用的材料分类

根据导电沟道所用材料的分类，结型场效应晶体管可分为N沟道结型场效应晶体管和P沟道结型场效应晶体管。绝缘栅场效应晶体管可分为N沟道绝缘栅场效应晶体管和P沟道绝缘栅场效应晶体管。

(4)按工作方式分类

根据工作模式，场效应晶体管可分为N沟道耗尽型结场效应晶体管、P沟道耗尽型结场效应晶体管、N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管、N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管、P沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管和P沟道增强型绝缘栅场效应晶体管。

(5)其他类型

除了以上分类，FET还可以分为高压FET、开关FET、双栅FET、功率MOS FET、高频低噪声FET等。