场效应管开关电路 实例（场效应管开关电路原理）

FET开关电路的原理和作用在mpn里，外观和我们前面讲的三极管很像，所以很多修mpn的朋友可以很长一段时间我都分辨不出来。这些外观相同的三极管、场效应管、双二极管和各种稳压集成电路统称为三脚管。如果你这么麻木，你的维修技术就很难突飞猛进了！好吧，我恐怕我没有这里不需要映射FET。它通常用于电路图中：

说，由于它的一般结构原理，我们简单地谈谈它的应用，所以我们获得了多讲了，因为根据应用场所不同，做出来的品种很多，特点也不一样；我们在mpn中常用的是作为电源供电的电控开关使用，所以需求大于电流。因此，我们用一种特殊的制造方法来制作一个增强型FET (MOS型)，其电路图符号为：

如果你仔细看，你会发现这两张图片似乎有所不同。顺便说一下，这实际上是两种不同的增强型FET。第一种叫做N沟道增强型FET，第二种叫做P沟道增强型FET。它们的功能正好相反。如前所述，FET是一个由电控制的开关，所以让我们先来谈谈如何使用它作为一个开关。从图中我们可以看到它也像三极管一样有三条腿。这三条腿分别被称为栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。mpn中的SMD组件表示如下：

引脚1是栅极，这个栅极是控制极。引脚2和3之间的连接和断开可以通过向栅极施加电压或不施加电压来控制。对于N沟道，引脚2和3通过向栅极施加电压来通电，并通过移除电压来关闭，而对于P沟道，情况正好相反。给栅极加电压时关断(高电位)，去电压(低电位)时接通！

p沟道MOS管在我们常见的2606主控电路图的上电电路中经常遇到：

上图中的SI2305是一个P沟道MOS管。这里上电电路的工作原理。

电池的阳极通过开关S1连接到FET Q1的2引脚源，因此其1引脚栅极通过R20电阻器获得正电势。因为Q1是一个P沟道MOS晶体管，FET是关闭的，电压可以继续通过。3V稳压IC的输入引脚可以不要工作，因为它不能。得不到电压，所以它关机了。

当按下SW1开机按钮时，电源的正极通过按钮R11、 R23、 D4连接到晶体管Q2的基极。这时，晶体管Q2的基极获得正电位，晶体管Q2导通。因为晶体管的发射极直接接地，所以晶体管Q2的导通相当于Q1的栅极直接接地，导致Q1的栅极从高电位变为低电位。Q1导通，电流通过Q1流向3V稳压IC。经过复位、复位、读取固件程序、检测等一系列动作后，主控输出一个控制电压到PWR_ON的基极到Q2。如果Q2保持在导通状态，Q1可以持续向3v稳压IC提供工作电压，电源处于导通状态。

同时，SW1由两个电阻R11、 r30分压，向主控PLAYON引脚发送不同时间的控制信号。固件识别后，主控输出不同的结果给相应的控制点，达到不同的工作状态。

FET开关的电路图如图：GPIO端为低时，三极管导通，GPIO端为高时，三极管第三脚输出3.3V，三极管关断，三极管第三脚输出0V。

FET在开关振荡器电路中的应用开关集成电路U101中的振荡器开始振荡，为FET Q101的栅极G提供振荡信号，于是FET Q101开始振荡，使开关变压器T101的初级线圈产生开关电流，开关变压器3、4的次级线圈产生感应电流。引脚3的输出经过整流和滤波，形成正反馈电压，施加到U101的引脚7，从而维持振荡电路的工作。在该电路中，场效应管作为脉冲放大器，用来实现开关振荡。

MOS管工作在开关状态时MOS管开关应用的功能；Q1、Q2导通，MOS管栅极处于反复充放电状态。假设此时关断电源，MOS管的栅极会有两种状态；一种状态是；放电状态，栅极等效电容没有电荷存储，一种状态是；充电状态，而栅极的等效电容正好处于充满电的状态，如图2-5-A 5-A所示，虽然切断了电源，但Q1、Q2此时也处于关断状态，没有释放电荷的电路。MOS管栅极的电场依然存在(可以持续很长时间)，建立导电沟道的条件并没有消失。这样，在再次启动的瞬间，由于激励信号尚未建立，MOS管的漏极电源(VDS)是在启动瞬间随机提供的，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控制的巨大漏极电流ID，导致MOS管烧毁。为了避免这种现象，在MOS管的栅极和源极之间并联一个漏极电阻R1，如图2-5-B 5-B所示，关断后，存储在栅极的电荷通过R1迅速放电。这个电阻的阻值不能太大，以保证电荷的快速放电，一般在5k ~ 10K左右。