六种电子电路中常用的电子元器件是（六种电子电路中常用的电子元器件）

今天我要介绍电子电路中常用的六种电子元件，它们构成了复杂的电路。快来了解一下吧~

一、电阻器

电阻可以说是电路工程中最常用的电子元件。r用来表示导体对电流的阻断作用。电路中的主要功能有分流、限流、分压、偏置等。

电阻的参数识别：常用的有色标法、值标法、数标法。

常用的是色码法，有四个色环，其中第二个环一、分别代表电阻值的前两位；第三个环代表放大倍数；第四个环代表错误。例如，当四个色环依次为黄、橙、红、金时，由于第三个环为红色，电阻范围为几k，所以根据黄色和橙色分别代表的数字“4”和“3”代入，其读数为4.3k。第一圈是金的，表示误差5%。

二、电容器

电容器用于在电路中储存电荷和电能，用c表示。电容器的主要特性是接通交流电，切断DC。电容器对交流电的电阻称为容抗，容抗是电抗的一种(另一种称为感抗)。容抗的大小与交流电的频率和自身容量有关。电路中电容的主要作用有：耦合、滤波、谐振、旁路、补偿、分频等。

电容器的参数表示还包括直接标记法、字符和符号组合法、颜色编码法。

它的模型由四部分组成，当然不适用于压敏、可变和真空电容器。它们分别代表名称、材料、分类和序号。

电容器的分类很复杂。根据目前的统计分析，有10种分类方法。详情请参考设备手册。

目前有超级电容器的研究。超级电容器是容量为几千法拉的非常大的电容器，其采用双电层和活性炭多孔电极的原理。

各种电容器

三、晶体二极管

它是一种具有非线性伏安特性的半导体器件，用D表示，主要功能是单向导电。核心部分是PN结，广泛应用于各种电子电路中。种类很多，按材质分有硅管和锗管。按功能分，有整流、发光、检测、稳压、开关、续流、旋转、肖特基二极管、硅功率二极管等。按结构分接触式和平面式。前者可以通过小电流，后者可以通过大电流。

二极管的主要参数有最大整流电流IF、最大反向工作电压、反向电流、动态电阻、最大工作频率、电压温度系数等。

二极管的正负端，正端A称为阳极，负端K；称为阴极，电流只能从阳极流向阴极。许多初学者混淆了二极管和半导体。其实二极管和半导体是完全不同的。它们只能说是半导体器件。

二极管识别的问题：小功率二极管的N极(负极)大多是用二极管外侧的一个彩色圆圈来标记的。有的二极管还用二极管专用符号表示P极(正极)或N极(负极)，有的用符号标注“P”和“N”来确定二极管的极性。LED的正极和负极可以通过引脚的长度来识别，长引脚为正极，短引脚为负极。当使用数字万用表测量二极管时，红色探针连接到二极管的阳极，黑色探针连接到二极管的阴极。此时测得的电阻就是二极管的正向导通电阻，与指针式万用表的探针连接正好相反。

四、电感器

将电能转化为磁能并储存起来的装置，其结构类似于变压器。电感器也称为扼流圈、电抗器和动态电抗器，用l表示。

分类：按感应方式分，有自感和互感。小电感可以通过敷设sp的方法直接蚀刻在PCB板上

与电容的特性相反，电感具有阻止交流电通过，允许直流电顺利通过的特性，称为直流阻断。

在电路中，电感主要起滤波、振荡、延时、陷波等作用。以及屏蔽信号、过滤噪声、稳定电流、抑制电磁干扰。最常见的功能是与电容器一起形成LC滤波器。

电感的主要参数包括电感、允许误差、品质因数和分布电容。

五、晶体管

三极管，全称应该是半导体三极管，又称双极晶体管、晶体管，是控制电流的半导体器件，是电子电路的核心元件。

三极管制作在半导体衬底上，有两个PN结，它们彼此非常接近。两个PN结把整个半导体分成三部分，中间部分是基区，两边是发射极区和集电极区，以PNP和NPN方式排列。

三极管具有电流放大的作用，其本质是三极管可以用基极电流的较小变化来控制集电极电流的较大变化。这是三极管最基本也是最重要的特性。我们将Ic/Ib的比值称为晶体管的电流放大系数，用符号“”表示。电流放大倍数对于某个三极管来说是一个恒定值，但是在三极管工作时会随着基极电流的变化而有一定程度的变化。

主要参数包括特征频率FT、电压电流、放大倍数、饱和电压、耗散功率等。

三极管可以工作在三种状态：截止、放大和导通。三极管最常用来构成放大电路，基本放大电路是放大电路最基本的结构，是复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流实现信号放大。放大的时候要有一个合适的偏置，也就是说发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。输入电路要设置成输入信号耦合到三极管的输入电极，形成可变的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，改变集电极电流。输出电路的设置要保证三极管放大的电流信号转换成负载所需的电能形式。

六、场效应晶体管

场效应晶体管，简称FET，简称FET。有两种主要类型的JFET(结型)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)。也叫单极晶体管，是一种压控半导体器件。

场效应晶体管(FET)是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，因此而得名。FET通过VGS(栅极-源极电压)控制ID(漏极电流)。FET的工作原理，换句话说就是“流过漏源之间沟道的ID用来控制栅极和沟道之间pn结形成的反向偏置的栅极电压的ID”。

功能：场效应管可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗很高，耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。场效应管的高输入阻抗非常适合阻抗变换，常用于多级放大器、可变电阻、恒流源、电子开关等的输入级。

有两种命名方法。第一种命名方法与双极晶体管相同。第三个字母J代表结型场效应晶体管，O代表绝缘栅型场效应晶体管。第二个字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；c型硅p沟道。比如3DJ6D是结型P沟道场效应晶体管，3DO6C是绝缘栅N沟道场效应晶体管。第二种命名方式是CS#，CS代表场效应晶体管，用数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。如CS14A、CS45G等。

场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。用于大规模和超大规模集成电路。

互补型金属氧化物半导体