美光公司推出基于1beta节点的LPDDR5X8500 DRAM

美光公司推出了其最新一代1β(1-beta)DRAM(动态随机存取存储器)制造。由于下一个节点的出现，美光将能够降低DRAM的成本，同时提高电源效率和性能。该公司制造DRAM芯片的最终方式将使用深紫外(DUV)光刻技术而不是极紫外(EUV)技术。

美光DRAM技术与1β节点

其低功耗双数据率5X(LPDDR5X)移动存储器技术提供每秒8.5千兆位的高性能水平。该节点在性能、位密度和电源效率方面有很大的改进，这将有利于广泛的市场。

除了智能手机和平板电脑之外，1β(1-beta)还提供了所需的低延迟、低功耗、高性能DRAM，以支持高度响应的应用、实时服务，以及整个智能车辆和数据中心的情境化和个性化体验。

同时，1β(1-beta)是该公司市场领导地位的一个进步，在2021年1α节点大量出货时，这一地位将得到加强。

由于每颗芯片容量为16Gb，该节点的电源效率提高了大约15%，比特密度提高了35%以上。

美光第一个使用其尖端节点的产品将是16Gb LPDDR5X-8500内存，但该公司最终会将该节点用于其他产品。据称，该芯片的16Gb LPDDR5X内存具有增强的动态电压和频率缩放扩展核心(eDVFSC)电压控制算法，可以节省电力。

美光1β LPDDR5X

LPDDR5X内存不仅是为平板电脑和智能手机等移动应用而设，而且是为了提高其他带宽要求高的应用的性能，如PC级系统芯片和AI加速器。

据美光公司称，其16Gb LPDDR5X-8500内存和1β制造技术已经准备好进行大规模生产。目前，该公司正在向有意愿的各方分发其LPDDR5X-8500 DRAM的样品，并将在鉴定程序完成后开始大规模生产这些IC。

在过去的许多年里，美光公司积极加强其制造技术、技术能力和开创性的研发，以建立1β和1α的竞争优势。

这种更快的创新使美光能够比竞争对手提前一年推出其1α节点，在公司历史上首次确立了美光在DRAM和NAND领域的领先地位。

多年来，美光还投资了数十亿美元，将其工厂转化为尖端的、高度自动化的、可持续的和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资，该工厂将在1β开始大规模生产DRAM。

可利用性

它现在正在向移动生态系统提供1β DRAM样品。在接下来的一年里，该公司将开始在嵌入式、数据中心、客户、消费者、工业和汽车行业中增加1β的其余产品组合，包括图形存储器、高带宽存储器等。