三星Exynos（8895参数曝光_10nm制程欲与高通争高低）

上午8: 00电子发烧友消息：微网讯，继高通新一代骁龙系列旗舰芯片骁龙835(MSM8998)正式公布之后，有关三星Exynos 8895芯片的参数信息在网络上公布。正如业界所料，为了对标高通骁龙835，Exynos 8895采用了其最新的10nm FinFET工艺打造，但与之前的Exynos芯片不同的是，Exynos 8895分为两个版本，Exynos 8895V和Exynos 8895M。

根据网络公布的芯片参数，Exynos 8895采用10nm工艺八核设计，由四颗meerkat M2核和四颗三星自主研发的A53核组成。GPU为G71(主频为550MHz)，拥有18/20个GPU核心单元。与今年的Mali-T880 GPU相比，它将提供80%以上的性能提升，进一步增强对4K内容和显示的支持，支持4通道LPDDR4x和UFS 2.1存储，并将基带升级到LTE Cat.16，但目前仍不支持CDMA。具体来说，S359将在明年第三季度用于实现“全网通”基带，以便适用于许多国家和地区。

关于M2定制的CPU核心，据透露，由于采用了10纳米工艺，官方Exynos 8895的CPU频率可能会飙升至3GHz，最大功耗仅为5瓦。另外，两款Exynos 8895s的主要区别在于主频和GPU图形处理单元。其中Exynos 8895M为高端版本，M2核心主频2.5GHz，Cortex-A53小核1.7GHz，GPU为Mali G71 MP20。而Exynos 8895V的M2核心主频降到了2.3GHz，GPU换成了Mali G71 MP18。

可以预计，三星Exynos 8895处理器芯片将于明年第一季度开始量产，移动终端将于明年第二季度上市，全网通版本将根据实际情况在第三季度公布。至于三星旗舰Galaxy S8什么时候正式公布，相信明年上半年就会有消息了。声明：电子Enthusiasts.com转载的所有作品尽可能注明出处，本作品所有者的一切权利不因本站的转载而转移。如作者不同意转载，请通知本站删除或更正。复制的作品可能在标题或内容上有所改变。