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电阻,电容,电感的运算阻抗是什么?_电阻、电感、电容的等效阻抗计算及应用

2024-08-06 19:04:53科技帅气的蚂蚁
1、电阻电阻等效电路图1电阻等效电路电阻的等效阻抗当施加DC和交流时,同一电阻元件测得的电阻值是不同的。在高频交流下,必须考虑引线电感

电阻,电容,电感的运算阻抗是什么?_电阻、电感、电容的等效阻抗计算及应用

1、电阻

电阻等效电路

图1电阻等效电路

电阻的等效阻抗

当施加DC和交流时,同一电阻元件测得的电阻值是不同的。在高频交流下,必须考虑引线电感L0和电阻元件分布电容C0的影响。等效电路如图1所示,其中R为理想电阻。从图中可以看出,该元件在频率f下的等效阻抗为

上式中,=2 f,Re和Xe分别为等效电阻分量和电抗分量,且

公式2

从上式可以看出,Re不仅与F有关,还与L0和C0有关。这说明当L0和C0不可忽略时,在交流电下测量这个电阻元件的电阻值,得到的是re而不是R值。

2、电感器

电感等效电路

图2电感等效电路

电感的等效阻抗

除了电感L,电感元件总是有损耗电阻RL和分布电容CL。一般来说,RL和CL影响不大。当电感元件接入DC并达到稳态时,可视为电阻;如果接在低频交流电路上,可以看作是理想电感L和损耗电阻r L的串联;其高频等效电路如图2所示。对比图1和图2可以看出,两者实际上是相同的,电感元件的高频等效阻抗可以参考公式1确定。

公式3

其中Re和Le分别是电感元件的等效电阻和等效电感。

从上面的公式我们知道,当CL很小或者RL、CL、都不大时,Le会等于L或者接近等于L.

3、电容器

电容等效电路

图3电容等效电路

电容的等效阻抗

电容元件在交流电作用下总有一定的介质损耗,另外其引线也有一定的电阻Rn和分布电感Ln,所以电容元件的等效电路如图3所示。图中,c是元件的本征电容,Rc是介质损耗的等效电阻。等效阻抗为

公式4

在公式中,Re和Ce分别是电容元件的等效电阻和等效电容。因为一般介电损耗太小,无法忽略(即Rc),所以Ce可以表示为

公式5

从上面的讨论可以看出,当R、L、C用AC测量时,实际测量的是当量值re、Le、Ce;由于电阻、电容、电感的实际阻抗随着环境和工作频率的变化而变化,所以阻抗测量应尽可能根据实际工作条件(尤其是工作频率)进行,否则测量结果会有很大误差,甚至是错误的结果。

4、二极管

功率二极管的正向导通等效电路

(1):等效电路

(2):说明:二极管正向导通时,可以等效为一个电压降,这个电压降与温度和流过的电流有关。温度升高,电压变小;随着电流的增加,电压也增加。详细的关系曲线可从制造商手册中获得。

功率二极管反向截止等效电路

(1):等效电路

(2):说明:二极管反向关断时,可以等效为一个电容,其容量与施加的反向电压、环境温度等有关。尺寸可以从制造商的手册中获得。

功率二极管稳态特性综述

(1):稳态下功率二极管的电流/电压曲线。

(2):描述:二极管正向导通时的稳态工作点:

当VinVd时,有:

对于不同的二极管,Vd的范围从0.35V2V到2V。二极管反向关断时的稳态工作点:Id0,Vd=-Vin。

(3):稳态特性总结:

-是单向传导器件(无正向阻断能力);

-对于不可控设备,由其两个关断电压的极性控制,没有其他外部控制;

-普通二极管的功率容量很大,但频率很低;

-开关二极管有三种,它们的稳态特性和开关特性是不同的:

-快速恢复二极管;

-超快速恢复,

功率MOSFET正向导通等效电路(1):等效电路

(2):说明:功率MOSFET正向导通时,可以等效为一个电阻,这个电阻与温度有关。温度升高,电阻变大;它还与栅极驱动电压的大小有关。随着驱动电压的增加,电阻降低。详细的关系曲线可从制造商手册中获得。

功率MOSFET的反向导通等效电路(1)

(1):等效电路(门不受控制)

(2):说明:即内部二极管的等效电路可以等效为一个压降。该二极管是MOSFET的体二极管,由于其特性不佳,大多数情况下应避免使用。

功率MOSFET的反向导通等效电路(二)

(1):等效电路(门控加控制)

(2):说明:功率MOSFET在栅级控制下的反向导通也可以等效为一个电阻,这个电阻与温度有关。温度升高,电阻变大;它还与栅极驱动电压的大小有关。随着驱动电压的增加,电阻降低。详细的关系曲线可从制造商手册中获得。这种工作状态称为MOSFET的同步整流,是低压大电流输出开关电源中非常重要的工作状态。

功率MOSFET的正向截止等效电路

(1):等效电路

(2):说明:功率MOSFET正向关断时,可以等效为一个电容,其容量与外加直流电压、环境温度等有关。尺寸可以从制造商的手册中获得。

功率MOSFET稳态特性综述

(1):稳态下功率MOSFET的电流/电压曲线。

(2):描述:功率MOSFET正向饱和时的稳态工作点:

当栅极不受控制时,其反向导通的稳态工作点与二极管的稳态工作点相同。

(3):稳态特性总结:

栅极和源极之间的电压Vgs控制器件的导通状态;当VgsVth时,器件处于导通状态;器件的通态电阻与Vgs有关,Vgs大,通态电阻小。大部分器件的Vgs为12V-15V,额定值为-30v;

-器件的漏极电流额定值是其有效值或平均值的标称值;只要实际漏极电流的有效值不超过其额定值,保证散热,器件就是安全的;

-器件的通态电阻为正温度系数,所以原则上并联容易扩容,但在实际并联中,还要考虑驱动的对称性和动态均流;

-目前的逻辑级功率MOSFET,它的Vgs只需要5V,就可以保证漏源导通电阻非常小;

-器件的同步整流已经越来越广泛,因为它的通态电阻很小(目前最小的是2-4毫欧),是DC/DC最关键的低压大电流输出的器件;

具有寄生参数的功率MOSFET等效电路

(1)等效电路

(2)描述:实际的功率MOSFET可以等效为三个结电容、三个沟道电阻、一个内部二极管和一个理想MOSFET。三个结电容都与结电压有关,但栅极的沟道电阻一般很小,漏极和源极两个沟道电阻之和就是MOSFET饱和时的通态电阻。